トップ半導体・電気・電子部品 - 基礎、応用研究、分析(化学) - 正社員 - 茨城県【茨城】SiCパワーデバイス開発エンジニア
この求人はあと7日で募集終了予定です。少しでも興味がある場合は、募集期間内に応募をしておきましょう。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
掲載元 マイナビスカウティング
【茨城】SiCパワーデバイス開発エンジニア
基礎、応用研究、分析(化学)
茨城県
￥
650万円〜900万円
正社員
仕事内容
・当社では、SiやSiCのパワーMOS、IGBTなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強（大口径化や生産委託）などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。
他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。
▼パワーデバイス・プロセス開発
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携
・ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いてい...
募集要項
| 企業名 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
| 職種 | 基礎、応用研究、分析(化学) |
| 勤務地 | 茨城県 |
| 給与・昇給 | 670万円～830万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 勤務時間 | 09:00～17:30 |
| 待遇・福利厚生 | 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤手当 住宅手当 残業手当 財形貯蓄制度 持株会制度 企業年金制度 など |
| 休日・休暇 | 完全週休2日制 慶弔休暇 年末年始 夏期休暇 有給休暇 出産予定・育児休職 |
| 提供 | キャリアインデックス |
企業情報
| 企業名 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
