【茨城】SiCパワーデバイス開発エンジニア

基礎、応用研究、分析(化学)

茨城県

￥

650万円〜900万円

正社員

仕事内容

・当社では、SiやSiCのパワーMOS、IGBTなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強（大口径化や生産委託）などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。
他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。

▼パワーデバイス・プロセス開発
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携

・ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いてい...

募集要項

応募方法

選考プロセス

面接2回、Teamsによるオンライン面接またはFtoFでの面接1-2回程度

必要なスキル

【必須】
・半導体デバイス構造設計や付随するプロセス開発経験
（半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験）

【歓迎】
・パワーデバイス（IGBT、パワーMOS(Si、SiC）、FRD)開発経験
・TCADシミュレーションスキル
・TEGレイアウトスキル
・デバイス電気特性評価スキル
・海外との共同プロジェクト経験
・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識

その他・PR

募集背景

部門・体制強化の為

雇用形態

【正社員】

企業情報