【京都/西院】パワーデバイス開発（GaN/開発〜プロセス〜評価まで）※リモートワーク有/年休130日【エージェントサービス求人】

機器・デバイス設計・開発、製造技術・プロセス開発

本社 住所：京都府京都市右京区西院溝崎…

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500万円〜999万円

正社員

仕事内容

■業務内容：パワーデバイス・プロセス開発エンジニア（GaN）として以下業務をお任せいたします（業務（1）（2）は両方を主担当として実施してもらうことは想定していませんが、リーダーとして入った場合は両方関与する可能性があります）。
＜（1）GaNデバイス・プロセスの設計・開発業務＞
◎開発の流れ：顧客要望調査→デバイススペックのコンセプト決定→デバイス構造・Die構造設計→プロセスフロー設計→プロセス開発→デバイス評価が全体像
◎担当業務：主にプロセスフロー設計・プロセス開発以外の部分を担当いただきます。
※チップ機種開発単位での仕事割り振りになりますが、設計・評価相談や異常対応はグループ・課全体で対応します。
◎出張：本社業務がメインになりますが、浜松工場での現場開発業務も存在します（月1-2回程度、期間：2-3日週間/回）。
＜（2）Foundry開発＞
◎業務内容：海外Foundryへの技術移管や共同開発の業務が存在します。デバイス・プロセス評価結果を元に改善案をFoundryに対して提示・指示し、社外でのウェハプロセス立上げを実施・完了させる業務になります。本社内での試作サンプル信頼性評価もございます。
◎出張：必要に応じて海外出張が存在します（年4-5回程度、期間：1週間/回）。
■GaNパワーデバイスとは：GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のことです。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっていまる。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できます。既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。
■募集背景：2022年にROHM製GaNデバイス＝EcoGaNを打ち出して以降、GaNデバイスの事業立上げ・拡張に向けて、次世代デバイスの開発体制強化と量産体制強化を行っていく必要があり、それぞれの業務を主体的に推進できる人財を求めております。
■働き方：リモートワーク可（週1回程度）／残業15H程度

応募条件・求められるスキル

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
＜応募資格/応募条件＞
■いずれか必須経験：
・半導体材料物性、半導体プロセスの知識
・デバイス設計（パワー or RF GaNデバイス）、プロセス開発、製造・量産化の経験

■歓迎要件：
・5名以上のグループ、課を率いた経験のある方、もしくはリーダー業務にチャレンジしたい方
・英語での技術ディスカッションが可能な方
・半導体プロセスインテグレーション業務経験、商品開発業務経験のある方

募集要項

その他・PR

雇用期間

＜雇用形態補足＞
期間の定め：無

＜試用期間＞
3ヶ月
試用期間中は休職制度の適用不可。

企業情報