【群馬】パワーデバイス設計エンジニア

デジタル回路設計・開発

群馬県

￥

600万円〜900万円

正社員

仕事内容

１. 職務内容
　【車載および産業用パワーデバイスの製品設計、製品開発】
　　・対象製品：　パワーデバイス　（IGBT/FRD）
・主担当業務：　パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発

２. 背景
新ウェハプロセス製品開発、IGBT12インチ開発、前工程ファウンダリ展開等により車載/産業用パワーデバイス事業の
拡大を計画しており、製品開発・設計者の人員強化が必須となっている。今回、即戦力としての経験者採用により開発体制を強化したい。
特に、デバイス物理の知識/経験と、パワーデバイス製品設計技術の知識/経験を併せ持つエンジニアで、次世代の製品
設計/開発のリーダー的役割を担う人材を募集する。

募集背景：事業拡大による新規ポジション
配属先：ハイパフォーマンスコンピューティング・アナログ＆パワーソリューショングループ/ＨＰＣパワーシステム事業部/高圧パワーデバイス設計部
Report to： Sr Manager.
組織体制：Sr Manager. 以下10名程度のチーム

募集要項

企業名	ルネサスエレクトロニクス株式会社
職種	デジタル回路設計・開発
勤務地	群馬県
給与・昇給	600万円～830万円前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。
勤務時間	09:00～17:30
待遇・福利厚生	健康保険　厚生年金　雇用保険　労災保険通勤手当　住宅手当　残業手当　財形貯蓄制度　持株会制度　企業年金制度　など
休日・休暇	完全週休2日制　慶弔休暇　年末年始　夏期休暇　有給休暇　出産予定・育児休職
提供	キャリアインデックス

応募方法

選考プロセス

面接2回、Teamsによるオンライン面接またはFtoFでの面接2回程度

必要なスキル

（１）Must要件
・パワーデバイス(IGBT、FRD、MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (3年以上)
・パワーデバイス（IGBT、FRD、MOSFET）の基礎知識

（２）Want要件
・パワーデバイス(IGBT、FRD、MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (5年以上)
・デバイスシミュレーション基礎知識、経験
・市場、アプリケーションの基礎知識
・化合物半導体(SiC、GaNなど）の基礎知識

（３）語学力
　　　英語：読み書きができる（Can read and write）
　　　日本語：ビジネス会話ができる（Business Level）

その他・PR

募集背景

部門・体制強化の為

雇用形態

【正社員】

企業情報

企業名	ルネサスエレクトロニクス株式会社
設立年月	2002年11月
資本金	1471億3300万円
従業員数	20962名
事業内容	≪日立製作所、三菱電機、NECの半導体部門統合により誕生した国内最大規模、世界でも有数の半導体メーカーです。≫ ■「自動車」「産業・家電」「OA・ICT」の3分野に注力した取り組みを行っており、とりわけ車載マイコン分野では世界シェアNo.1を誇ります。 ■組織セグメントをアプリケーションに従属させることで、お客様の要望に寄り添うマーケットイン型の体制を整えてきました。また、キット・プラットフォームソリューションの強化により、当社の提供価値を拡大しております。 ■現在、同社は「機能安全」「セキュリティ」「センシング」「ローパワー」「コネクティビティ」の5点を最注力技術として強化してお...

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