【茨城】化合物半導体の開発スタッフ_（リーダーまたはリーダー候補）

基礎、応用研究、分析(化学)、その他研究・開発職(化学・食品)

茨城県神栖市

￥

800万円〜1300万円

正社員

仕事内容

以下に例示する化合物半導体製造技術の開発業務を担当。ご経験やご希望などを踏まえて担当業務をご提案します。
　・化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計
　・化合物半導体のウエハ加工技術の開発
　・化合物半導体の結晶およびウエハの評価と解析。検査技術の開発

応募条件・求められるスキル

【必須条件】
・経験職種（年数）・経験内容：
以下2点のいずれかの経験があること
■GaN自立基板結晶成長技術開発経験（実務経験5年以上）
■SiCやGaN、そのほか高脆性材料・難削材の化合物半導体を対象とした、加工技術、生産、研究開発いずれかの経験（実務経験5年以上）

【歓迎要件】
・専攻：物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学
・経験職種（年数）・経験内容：
■GaN自立基板の高品質化（低転位化）技術ないし大口径化、HVPE（ハライド気相成長）法技術開発経験（５年以上）
■高脆性材料・難削材のスライス、ラップ、研削、研磨、レーザー加工等の技術開発経験（５年以上）
・語学力：英語(TOEIC：600以上)

募集要項

企業情報