フラッシュメモリ設計エンジニア

デジタル回路設計・開発

神奈川県

￥

600万円〜1200万円

正社員

仕事内容

【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア／海外市場上場のグローバル企業/2000億円の売上／離職率3%／残業月20時間程度】
デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せいたします。
1X、2Xnm世代のNAND設計開発を行っていただきます。

・同社の特徴・魅力：
◇安定した雇用…当社の事業戦略から安定した業績を重ねているため、半導体メーカーによく見られる人員削減を実施したことがございません。安心して働き続けられる環境が整っております。
◇長期就業が可能な環境…中途入社の社員が多いこともあり、社内の風通しは良く、近年の離職率も3％と多くの社員が長期的に就業をしております。個人の裁量が大きいため、場所を選ばず効率的な働き方が可能で、残業月20時間程度が平均となっております。
◇景気変動を受けにくい安定経営…半導体業界の中でも景気変動や開発競争が激しい、PCやスマホ向けメモリからは撤退をしており、オートモーティブ領域やアミューズメント機器、固定電話等、製品ライフサイクルが長い分野に製品を集中させております。これらの製品に使用されるメモリは同じもの...

募集要項

応募方法

選考プロセス

面接2回、面接2回予定※英文レジュメ必須
※英語でのＴＶ電話会議を行う可能性がございます。

必要なスキル

【必須】
（1）科学、工学、電気工学系専攻
（2）英語での基本的なコミュニケーションスキル
（3）1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること
・I/O、論理回路、アナログ回路とメモリのレイアウト
・ワンチップとリード/ライトパスのシミュレーション
・Si.を使用しての評価
（4）英語力：ビジネスレベル

その他・PR

募集背景

部門・体制強化の為

雇用形態

【正社員】

企業情報