トップ半導体・電気・電子部品 - 製造技術・プロセス開発 - 正社員 - 山梨県高周波パッケージ開発および生産技術＜光デバイス＞
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日系大手非鉄金属メーカー系列の通信機器デバイスメーカー
掲載元 マイナビスカウティング
高周波パッケージ開発および生産技術＜光デバイス＞
製造技術・プロセス開発
山梨県
￥
600万円〜800万円
正社員
仕事内容
■高周波パッケージ開発および生産技術業務をご担当いただきます。
【具体的には】
■携帯電話基地局向けGaN−HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術
■パッケージ技術開発、試作、製造立上
■製造工程の問題に対する改善検討
募集要項
| 企業名 | 日系大手非鉄金属メーカー系列の通信機器デバイスメーカー |
| 職種 | 製造技術・プロセス開発 |
| 勤務地 | 山梨県 |
| 給与・昇給 | 400-800万円 |
| 勤務時間 | 08:30 - 17:15（コアタイム：11:00 - 14:00） |
| 待遇・福利厚生 | 健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 通勤手当、家族手当、時間外手当 寮・社宅、退職金 |
| 休日・休暇 | 年間120日／（内訳）週休2日制、夏季休暇、年末年始、有給休暇、GW連休、特別休暇 |
| 提供 | キャリアインデックス |
応募方法
選考プロセス
【筆記試験】有（SPI）
【面接回数】2回
【選考フロー】
一次面接⇒ SPI⇒ 最終面接
必要なスキル
【必須要件】※以下いずれかのご経験をお持ちの方
■パッケージ製造装置の選定／導入／立上げ経験
■CAD等による作図経験
■機構部品の信頼性試験、解析
【歓迎要件】
■高周波、高出力トランジスタ用パッケージ開発経験、または製造技術経験
その他・PR
雇用形態
【正社員】
企業情報
| 企業名 | 日系大手非鉄金属メーカー系列の通信機器デバイスメーカー |
| 事業内容 | 【概要・特徴】 東証プライム上場の住友電気工業（株）傘下の通信機器デバイスメーカー。住友電工と富士通の出資により、2004年に設立されました。光通信用発光・受光デバイス製品と、無線通信用高出力マイクロ波デバイス製品の両方において世界トップ級シェアを持つ唯一のメーカーです。半導体はシリコンが材料になることが多いですが、同社は化合物半導体を製品に使用。近年、高速データ伝送・高効率でありながら低消費電力のデバイスを創出する化合物半導体への期待が高まっており、高性能・高品質な製品開発を追求しています。 【強み】 主力製品はいずれも国内シェアトップクラスです。同社が開発した化合物半導体材料の窒化ガリウム（GaN）を用いたデバイス「GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）」は、破壊耐圧に強い性質を持ち、高出力で高効率な電子増幅器を実現できるのが特徴。携帯電話網の通信基地局や空港をはじめとする各種レーダーシステムに採用されています。今後は宇宙産業での採用も目指しています。 |
