【京都／転勤なし】パワー半導体デバイスの設計開発　※業界最先端の技術開発／年休120日【エージェントサービス求人】

機器・デバイス設計・開発

本社 住所：京都府京都市西京区御陵大原…

￥

600万円〜1000万円

正社員

仕事内容

〜業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業／大手半導体メーカー出身社員（10~30年以上の経験を有するメンバー）と共に高度な技術開発ができ、顧客の要望に沿った製品を一から作り上げることができます〜
■業務内容：
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。
■採用背景：
SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制・信頼性確保・量産体制を強化するための採用です。
■配属先情報：
大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で１0〜30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。
■成長計画：
パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。
■当社について：
高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。
大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。

応募条件・求められるスキル

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上
＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方
（例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでのデバイス試作経験 等

■歓迎条件※あれば尚可
デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験




＜語学力＞
歓迎条件：英語中級、中国語（北京語）中級、中国語（広東語）中級

＜語学補足＞
【あれば尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

募集要項

その他・PR

雇用期間

＜雇用形態補足＞
期間の定め：無

＜試用期間＞
3ヶ月
条件の変更なし

企業情報