【福岡】SiCパワーデバイス開発エンジニア　※土日祝休み

基礎、応用研究、分析(電気・電子)、基礎、応用研究、分析(機械・メカトロ)、生産・製造スタッフ

〒834-0111 福岡県八女郡広川町…

￥

500万円〜750万円

正社員

仕事内容

【職務概要】
SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。
福岡の子会社に駐在していただく予定です。

【職務詳細】
■SiCパワーデバイス開発・設計
■SiCパワーデバイスプロセス開発

SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、
従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が
可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。

【世界をリードするSiCパワーデバイス】
2009年に欧州のSiC単結晶ウエハメーカーを同社グループの一員に迎え、
ウエハ／金型／リードフレーム／パッケージ製造まで全てのプロセスを
グループ内で独自に開発することができる体制を確立しました。
2025年までにSiCの生産能力を2017年の16倍まで拡大し、
市場シェアも業界トップクラスを目指し、
グループ生産拠点も2020年に新棟を竣工予定です。

【業務内容変更の範囲】
同社業務全般

応募条件・求められるスキル

【必須】
■いずれかの経験がある方
・半導体前工程のデバイスインテグレーション経験
・半導体前工程の工程欠陥改善経験

【このような方におすすめです】
同社の原動力は「チャレンジ精神」です！
今後の更なる飛躍を目指し、
志が高い方、情熱を持った方にはおすすめの企業です。

募集要項

企業情報