研究　プロセス開発　エピタキシャル成長装置

基礎、応用研究、分析(電気・電子)、基礎、応用研究、分析(機械・メカトロ)

横浜市、新杉田駅

￥

600万円〜

正社員

仕事内容

〇エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。



・シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法（レシピ）の開発と測定機による評価

・装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応

・プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援



※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います



〇エピタキシャル成長製造装置の特徴

1ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
2緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
3高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性

上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。

プロセス担当はこれらコア技術が顧客要望通り実現しているかを測定器などを使用して検証し、
エラーの原因はレシピなのかハードなどかを突き詰め改善を行っていきます。

【業務で使用するツール】
・プロセス
測定機操作　(SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等）

募集要項

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