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東証プライム、先端デバイスで世界トップ級の半導体メーカー

掲載元 マイナビスカウティング

パワーデバイス開発エンジニア<SiCモジュール>

基礎、応用研究、分析(電気・電子)、基礎、応用研究、分析(機械・メカトロ)

京都府

600万円〜900万円

雇用形態

正社員

仕事内容

■SiCパワーデバイス開発・設計、プロセス開発業務に従事していただきます。

【具体的には】
・SiCパワーモジュールの設計、評価、試験。
・拡販用、顧客対応用のデータ採取、実験等

※キャリアステップのイメージとしては、まずは開発中の製品評価を中心にSiCパワーモジュールの知見を習得していただき、ゆくゆく顧客の窓口や顧客ニーズを商品に取り込む開発者に成長をして頂きます。

募集要項

企業名東証プライム、先端デバイスで世界トップ級の半導体メーカー
職種基礎、応用研究、分析(電気・電子)、基礎、応用研究、分析(機械・メカトロ)
勤務地京都府
給与・昇給400-900万円
※固定残業手当は月、20時間0分該当分、57,000円(年収400万円の場合)~120,000円(年収750万円の場合)を支給。
勤務時間08:15 - 17:15(コアタイム:00:00 - 00:00)
待遇・福利厚生健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
通勤手当、住宅手当、家族手当
■制度:退職金制度、団体生命保険加入、財形貯蓄制度、従業員持株制度など多数
■施設:テニスコート、宿泊施設、レジャー施設、スポーツクラブ、提携保養施設など多数
休日・休暇年間130日/(内訳)完全週休2日制(土・日)、祝日、夏期休暇、年末年始、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇など
提供キャリアインデックス

企業情報

企業名東証プライム、先端デバイスで世界トップ級の半導体メーカー
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